IGBT 激光快速退火系統 - 激光快速退火設備 - 成都萊普科技有限公司

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產品及應用

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IGBT 激光快速退火系統

產品介紹

精確的單 / 雙脈沖控制，對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進行激光快速退火，實現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。

產品特點應用產品類型技術指標應用案例

產品特點

· 10um 激活深度
· WPH 高達 30
· 優異的方阻均勻性和表面顏色
· 完整的全程監控反饋能力
· 支持超薄片、TAIKO 片、翹曲片退火
· 具備激光輔助加熱系統

應用產品類型

標準晶圓、Flat 晶圓、Notch 晶圓、Taiko 晶圓

技術指標

項目	LA2540S	LA2550S	LA2540D	LA2550D
晶圓尺寸	4/6、6/8、8/12 inch 兼容
激光功率	60W+150W	90W+150W	120W+300W	180W+300W
8 寸片典型掃描時間	110 sec/p	90 sec/p	60 sec/p	45 sec/p
激光能量密度	≥ 5J/cm2		≥ 5J/cm2
激光輸出穩定性	≤ 2%，RMS，4hrs
激活率	≥ 95% @B Implant，≥ 90% @P Implant
均勻性	片內：≤ 1%，片間：≤ 1%，@8 寸，RS
粉塵控制	≤ 30 @ 0.5um，≤ 5 @ 1um
自動傳片系統	雙 LoadPort、多關節機器手、預準直器

應用案例

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產品與應用: 半導體晶圓制造; 半導體封裝測試; 電子精密制造

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Chengdu Laipu Technology co.,LTD

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